具有低磁滞损耗的磁性复合薄膜及其制备方法
公开
摘要
本发明通过电子束逐层交替蒸发得到CoZrFeSi复合多层膜，具有以往FeCo材料不具备的效果，一方面Zr和Si元素的插入，将削弱Fe/Co之间的铁磁耦合，可以调控磁性多层膜的层间耦合作用，从而实现对多层膜材料磁化强度的调控。另一方面退火能有效提高CoZrFeSi复合多层膜材料磁阻效应表现，可以极大地降低储存器件工作时产生的发热损耗。其次Zr和Si元素的插入可以实现比商业化的FeCo薄膜还要低1‑2个数量级的净磁矩和矫顽力，在提高薄膜软磁性能的前提下材料的磁阻效应并没有明显的减退，在磁性存储材料和自旋电子器件的底层材料有很大应用价值。
基本信息
专利标题 ：
具有低磁滞损耗的磁性复合薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622168A
申请号 ：
CN202011532023.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯武威朱坤
申请人 ：
中国地质大学（北京）
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路29号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011532023.9
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30 C23C14/16 H01F41/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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