一种低温复合超导线临界电流与磁滞损耗样品绕制装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种低温复合超导线临界电流与磁滞损耗样品绕制装置，包括水平设置的底座，底座上沿竖直方向设有支撑杆，支撑杆上设有绕制支撑组件，绕制支撑组件的下方一侧设有定滑轮，线材的一端绕在绕制支撑组件上，线材的另一端绕过定滑轮并连接有重物块。本实用新型解决了小规格线材临界电流与磁滞损耗绕制困难的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种低温复合超导线临界电流与磁滞损耗样品绕制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020857943.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-21
授权号 ：
CN212658518U
授权日 ：
2021-03-05
发明人 ：
高慧贤王菲菲杨帆董茂胜王蒙昌胜红刘京州李建峰刘向宏冯勇
申请人 ：
西部超导材料科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市经济技术开发区明光路12号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
王丹
优先权 ：
CN202020857943.7
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2021-03-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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