强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺
专利申请的视为撤回
摘要
强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺，其芯片有衬底片及镍、钴合金镀层构成，镀层形成两个完全相同的迂回状电阻条相互垂直配置，具有三个引出端。其制造工艺依次为材料清洗处理、蒸镀合金薄膜、光刻腐蚀、划片、超声压焊、涂油、封装、高低温老化和功率老化各工序组成。蒸镀合金薄膜要求真空度达到5×10-5mmHg以上，衬底加热器温度为310℃～320℃。该产品温度特性好，灵敏度高，易于制造，在自动检测、控制及仪器仪表中得到广泛应用。
基本信息
专利标题 ：
强磁性金属薄膜磁敏电阻及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1076312A
申请号 ：
CN93110039.9
公开（公告）日 ：
1993-09-15
申请日 ：
1993-01-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟庆波
申请人 ：
孟庆波
申请人地址 ：
115004辽宁省营口市西市区永强街团结里68号营口市华光传感元件厂
代理机构 ：
营口市专利事务所
代理人 ：
汪长敏
优先权 ：
CN93110039.9
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/12
法律状态
1995-01-04 ：
专利申请的视为撤回
1993-09-15 ：
公开
1993-09-08 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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