纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料

专利权的终止

摘要

本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料，它是霍尔元件中作为活性层的磁敏材料。通式为Fe_xGe_1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。本发明纳米晶铁锗颗粒薄膜材料不同于传统半导体材料，同时也不同于非晶结构的纳米晶的铁－锗颗粒薄膜材料，其霍尔电阻灵敏度高达125V/AT，工作温度可以扩展到－250℃到+200℃，并且具有更小的热漂移、零磁场偏移。与传统的半导体材料相比，本发明的材料制备简单，成本低，灵敏度高、工作温度范围宽，器件尺寸小，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

基本信息

专利标题：

纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1803962A

申请号：

CN200510122236.3

公开（公告）日：

2006-07-19

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

刘晖李志青白海力李养贤

申请人：

南开大学

申请人地址：

300071天津市卫津路94号南开大学信息学院

代理机构：

天津市学苑有限责任专利代理事务所

代理人：

赵尊生

优先权：

CN200510122236.3

主分类号：

C09K3/00

IPC分类号：

C09K3/00 C23C14/00 C23C14/14 C23C14/34 C23C14/35 H01L43/04 H01L43/10