纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为FexGe1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在－250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776005A
申请号 ：
CN200510122237.8
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘晖李志青张德贤王雅欣王健
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学信息学院
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN200510122237.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2011-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037109448
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2005101222378
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20100108
号牌文件序号 : 101037109448
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2005101222378
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20100108
2008-05-14 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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