具有纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料活性层的霍尔元件
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种微型的霍尔元件，以通式为FexGe1－x的纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料作为活性层，其中x为铁金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，采用“十”字形设计，活性层的线度在0.3～1微米。本发明的微型的霍尔元件的工作温度在－250℃到+200℃范围内，并具有125VA/T以上的霍尔电阻灵敏度，其线性度优于千分之三，热漂移小于140ppm/K，零磁场偏移量在千分之五以内。在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
具有纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料活性层的霍尔元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1776929A
申请号 ：
CN200510122238.2
公开（公告）日 ：
2006-05-24
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘晖李志青
申请人 ：
南开大学
申请人地址 ：
300071天津市卫津路94号南开大学信息学院
代理机构 ：
天津市学苑有限责任专利代理事务所
代理人 ：
赵尊生
优先权 ：
CN200510122238.2
主分类号 ：
H01L43/06
IPC分类号 ：
H01L43/06 H01L43/10 G01R33/07
法律状态
2011-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037111917
IPC(主分类) : H01L 43/06
专利号 : ZL2005101222382
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20100108
号牌文件序号 : 101037111917
IPC(主分类) : H01L 43/06
专利号 : ZL2005101222382
申请日 : 20051208
授权公告日 : 20071114
终止日期 : 20100108
2007-11-14 ：
授权
2006-07-19 ：
实质审查的生效
2006-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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