氧化锡薄膜气敏元件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在氧化锡薄膜气敏元件中，用Cuk作为射线源进行气体检测表面的单晶取向性和结晶性的X线衍射时，设其最强衍射线强度为I1、第二、第三、第四和第五强的衍射线强度分别为I2、I3、I4和I5，此时，这些衍射线强度的两者或三者之间有一种特定的数值关系，而且最强衍射线强度的半值宽度大于某一特定值。
基本信息
专利标题 ：
氧化锡薄膜气敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102281A
申请号 ：
CN86102281.5
公开（公告）日 ：
1987-10-14
申请日 ：
1986-04-05
授权号 ：
CN1010250B
授权日 ：
1990-10-31
发明人 ：
松本毅冈田治中村裕司
申请人 ：
大阪瓦斯株式会社
申请人地址 ：
日本国大阪府大阪市东区平野町5丁目1番地
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
叶凯东
优先权 ：
CN86102281.5
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 H01L49/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2001-05-30 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-17 ：
授权
1990-10-31 ：
审定
1989-08-23 ：
实质审查请求
1987-10-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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