气敏元件
专利权的终止
摘要
本发明提供一种即使在高温和高湿度环境下使用时也具有极好防潮性能的气敏元件。根据本发明，一种气敏元件(1)包括：硅衬底(2)；主要由SnO2构成并且形成于硅衬底(2)上的金属氧化物半导体部分(41)；以及由Pd构成并且分散在金属氧化物半导体部分(41)的表面上的催化部分(42)，其中金属氧化物半导体部分(41)和催化部分(42)构成气敏部分(4)。而且，主要由SiO2构成的绝缘部分(7)分散地形成于气敏部分(4)的表面上。而且，催化部分(42)和绝缘部分(7)形成于金属氧化物半导体部分(41)的表面上，以使得具有绝缘部分(7)的气敏部分(4)的由Si/(Pd+Si)表示的代表Si与Pd的原子数目比值的表面添加比值可以为65％或者更大至97％或更小，并且使得气敏部分(4)的由Si/(Sn+Si)表示的代表Si与Sn的原子数目比值的表面添加比值可以为75％或者更大至97％或更小。
基本信息
专利标题 ：
气敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825102A
申请号 ：
CN200610009422.0
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中川伸一中野吉博喜田真史小岛多喜男
申请人 ：
日本特殊陶业株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN200610009422.0
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 G01N27/407
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2019-02-15 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01N 27/12
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20100421
终止日期 : 20180222
申请日 : 20060222
授权公告日 : 20100421
终止日期 : 20180222
2010-04-21 ：
授权
2007-10-31 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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