高灵敏度半导体气敏元件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高灵敏度半导体气敏元件，由N型和P型半导体材料制成的两种敏感体构成一个整体气敏元件，并包含有衬底、电极和加热器，其特征是这两种敏感体对待测气体均敏感，两者可组合成N-P型或P-N型结构，当接触待测气体时，P型敏感体的电阻随待测气体浓度增大而增大，N型敏感体的电阻却随之而减小。所以该元件的灵敏度近似等于构成它的这两种敏感体各自灵敏度的乘积，因而可实现检测气体的高灵敏度，同时还可实现选择性倍增，改善热稳定性和初期驰豫特性，增强抗环境湿度的能力。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏度半导体气敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1070283A
申请号 ：
CN91108927.6
公开（公告）日 ：
1993-03-24
申请日 ：
1991-09-09
授权号 ：
CN1027607C
授权日 ：
1995-02-08
发明人 ：
吴兴惠
申请人 ：
云南大学
申请人地址 ：
650091云南省昆明市翠湖北路52号
代理机构 ：
云南省高校专利事务所
代理人 ：
张晋
优先权 ：
CN91108927.6
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 G01N27/12 H01L49/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
1999-11-03 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-02-08 ：
授权
1994-04-27 ：
实质审查请求的生效
1993-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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