偏锡酸锌气敏元件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明用ZnSnO3或Zn2Sn4，添加一定的SiO2，Al(OH)3作为填充剂和粘合剂，通过研磨、涂料、烧结等工艺可制成直热式、旁热式等半导体气敏元件。采用丝网印刷技术、真空蒸发及贱射技术，亦可制厚膜或薄膜型半导体气敏元件。经测试表明，用上述材料和工艺制成的气敏元件，对氢、水煤气等气体敏感，具有较高的稳定性和选择性。可用于氢、水煤气、石油液化气等的检测及报警。
基本信息
专利标题 ：
偏锡酸锌气敏元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86106681A
申请号 ：
CN86106681.2
公开（公告）日 ：
1987-10-21
申请日 ：
1986-10-09
授权号 ：
CN1015936B
授权日 ：
1992-03-18
发明人 ：
吴兴惠
申请人 ：
云南大学
申请人地址 ：
云南省昆明市翠湖北路52号
代理机构 ：
云南省高校专利事务所
代理人 ：
朱智华
优先权 ：
CN86106681.2
主分类号 ：
G01N27/12
IPC分类号 ：
G01N27/12 H01L49/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
1993-08-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-11-04 ：
授权
1992-03-18 ：
审定
1989-07-26 ：
实质审查请求
1987-10-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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