一种基于交流阻抗的半导体气体传感器测量方法
授权
摘要

本发明公开了一种基于交流阻抗的半导体气体传感器测量方法,方法中,并联半导体气体传感器与电容,交流阻抗测量设备连接半导体气体传感器与电容,在第一预定范围的测量频率和第二预定范围的并联电容值下进行测量参数的组合,在每一个组合的情形下,对于上述9种特征量中的每一个特征量,均对已知浓度的气体进行测量;遍历完所有参数组合以及所有的9种特征量,就得到同一气体浓度在每种特征量情形下、所对应的多个特征值;选择第三范围的测量频率、第四范围的并联电容值以及所述对应的某一种或某几种特征量,作为最终选择的测量未知气体浓度的测量参数。

基本信息
专利标题 :
一种基于交流阻抗的半导体气体传感器测量方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112986339A
申请号 :
CN202110087026.4
公开(公告)日 :
2021-06-18
申请日 :
2021-01-22
授权号 :
CN112986339B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
荣命哲王大伟杨爱军王小华潘健彬黄贤博褚继峰袁欢
申请人 :
西安交通大学
申请人地址 :
陕西省西安市咸宁西路28号
代理机构 :
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 :
覃婧婵
优先权 :
CN202110087026.4
主分类号 :
G01N27/12
IPC分类号 :
G01N27/12  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
G01N27/02
通过测试阻抗
G01N27/04
通过测试电阻
G01N27/12
与流体的吸收有关的固体的电阻,依赖于与流体发生反应的固体的电阻
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-07-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/12
申请日 : 20210122
2021-06-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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