半导体气体传感器及其制备方法和应用

授权

摘要

本发明公开了一种半导体气体传感器及其制备方法和应用。所述半导体气体传感器包括异质结和与异质结配合的第一电极、第二电极，所述异质结中形成有二维电子气或二维空穴气，所述第一电极与第二电极通过所述二维电子气或二维空穴气电连接；所述异质结表面分布有多个深能级位点，所述深能级位点的能级与选定气体分子的LUMO或HOMO能级存在足够的能级差，使得当将所述选定气体分子与所述深能级位点充分接触时，会在所述选定气体分子与所述深能级位点之间发生电子或空穴转移，从而使所述半导体气体传感器的沟道电流变化。本发明实施例提供的一种半导体气体传感器的化学性质稳定、使用寿命长，且可以适用于极端环境。

基本信息

专利标题：

半导体气体传感器及其制备方法和应用

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112834579A

申请号：

CN202110017914.9

公开（公告）日：

2021-05-25

申请日：

2021-01-07

授权号：

CN112834579B

授权日：

2022-04-12

发明人：

马颖陈亮陈财蔡勇

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

王锋

优先权：

CN202110017914.9

主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

G01N27/12