气体传感器的制备方法及气体传感器

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摘要

本发明提供了一种气体传感器的制备方法和气体传感器，所述方法包括：提供一表面具有GaN缓冲层的Si衬底；在所述GaN缓冲层上形成外延叠层，所述外延叠层从下向上依次为GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层；刻蚀所述外延叠层，形成台阶状异质结构，同时实现器件隔离；形成欧姆接触电极和肖特基接触电极，所述欧姆接触电极位于所述GaN帽层上，所述肖特基接触电极位于刻蚀区域底部的GaN缓冲层上；退火；形成敏感材料层，所述敏感材料层连接所述异质结构和所述肖特基接触电极。本发明降低了气体传感器的开启电压和功率损耗。同时缩短了敏感材料层与二维电子气之间的距离，载流子的传输不再隧穿通过AlGaN势垒层，保持高的迁移率，器件具有更高的灵敏度。

基本信息

专利标题：

气体传感器的制备方法及气体传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112713183A

申请号：

CN202011581584.8

公开（公告）日：

2021-04-27

申请日：

2020-12-28

授权号：

CN112713183B

授权日：

2022-06-10

发明人：

卢红亮陈丁波

申请人：

光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN202011581584.8

主分类号：

H01L29/205

IPC分类号：

H01L29/205 H01L29/45 H01L29/47 H01L29/872 H01L21/329 G01N27/12