气体传感器的制备方法以及气体传感器
公开
摘要

本发明提供一种气体传感器及其制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底表面具有绝缘层,以及绝缘层表面的源极、栅极和漏极;在栅极表面电镀金属掩膜;在电极表面修饰阻挡层;去除金属掩膜并同时去除金属掩膜表面的阻挡层;在阻挡层未覆盖的区域生长介电层,所述介电层包覆所述栅极;去除阻挡层以暴露出源极和漏极;在源极、漏极以及介电层表面形成导电气敏层。上述结构的导电气敏层完全暴露在外,可以最大程度的与空气接触,提高了导电气敏层的作用面积,有效提升了气体传感器的性能。并且通过上述技术方案所述的方法,解决了上述结构中的技术难题,即如何实现介电层覆盖绝缘层的同时,所述介电层在金属电极上的区域选择性生长的问题。

基本信息
专利标题 :
气体传感器的制备方法以及气体传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114577882A
申请号 :
CN202011371358.7
公开(公告)日 :
2022-06-03
申请日 :
2020-11-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田旺曾怀望汪浩鹏崔进高贤永
申请人 :
联合微电子中心有限责任公司
申请人地址 :
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN202011371358.7
主分类号 :
G01N27/414
IPC分类号 :
G01N27/414  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量;用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管,即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2022-06-03 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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