常温半导体气体敏感元件的制备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于常温半导体气体敏感元件的制备。该元件在常温下使用，检测烟雾和可燃性气体，其结构和工艺简单，成本低，灵敏度高，响应和恢复时间快。其配方组成为：以SnO2量为基准，SnCl4量为SnO2的0.5-1.5倍，贵金属量为SnO2的0.02-0.06倍，还可用稀土氧化物代替贵金属，其配比为稀土氧化物/SnO2＝0.5-1倍。
基本信息
专利标题 ：
常温半导体气体敏感元件的制备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046815A
申请号 ：
CN89102921.4
公开（公告）日 ：
1990-11-07
申请日 ：
1989-04-29
授权号 ：
CN1023363C
授权日 ：
1993-12-29
发明人 ：
李文范刘秀英
申请人 ：
中国科学院长春应用化学研究所
申请人地址 ：
吉林省长春市斯大林大街109号
代理机构 ：
中国科学院长春专利事务所
代理人 ：
曹桂珍
优先权 ：
CN89102921.4
主分类号 ：
H01L49/00
IPC分类号 ：
H01L49/00 G01N27/12
法律状态
1996-06-12 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-12-29 ：
授权
1991-08-21 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-11-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1023363C.PDF
PDF下载
2、
CN1046815A.PDF
PDF下载
