含有辐射敏感元件的半导体器件

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

本发明涉及一种包含有晶体管(T)的辐射敏感元件(A……D)的半导体器件，晶体管有发射区(6)，基区(4)和集电区(2)，并有整流结(5)的辐射敏感区(7)。晶体管(T)使该元件与光电二极管相比可提供较大的输出信号。整流结(5)的寄生电容使该元件与光电二极管相比相当低，为避免这缺点，本发明的辐射敏感区域至少有第一和第二区域(71，72)，晶体管被分成两个分晶体管(T1，T2)，其基区分别与区域(71和(72)连接，分晶体管的集电区(2)和发射区(6)各自互连。

基本信息

专利标题：

含有辐射敏感元件的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1048632A

申请号：

CN90103228.X

公开（公告）日：

1991-01-16

申请日：

1990-05-30

授权号：

CN1021678C

授权日：

1993-07-21

发明人：

马丁纳斯·皮特勒斯·玛丽亚·比尔霍夫乔布·弗朗西斯卡斯·皮特勒斯·范米尔

申请人：

菲利浦光灯制造公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

肖掬昌

优先权：

CN90103228.X

主分类号：

H01L31/147

IPC分类号：

H01L31/147 H01L31/101 G11C11/42