半导体存储元件及半导体存储器件
专利权的终止
摘要
提供一种半导体存储元件和半导体存储器件。该半导体存储元件将数据作为电阻值的差来存储。上述存储元件包含MIS晶体管、二端可变电阻元件以及固定电阻元件。MIS晶体管具有栅。二端可变电阻元件连接在MIS晶体管的栅和第一电源端之间。可变电阻元件的电阻值根据在该可变电阻元件中流动的电流量或者该电流流动的方向改变，即使停止通电也会保持变化后的电阻值。固定电阻元件连接在MIS晶体管的栅和第二电源端之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储元件及半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1801392A
申请号 ：
CN200510119461.1
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安田心一
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
岳耀锋
优先权 ：
CN200510119461.1
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 H01L27/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2014-12-31 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101593356350
IPC(主分类) : G11C 11/34
专利号 : ZL2005101194611
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20131110
号牌文件序号 : 101593356350
IPC(主分类) : G11C 11/34
专利号 : ZL2005101194611
申请日 : 20051110
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20131110
2009-08-05 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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