一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要

本发明属于气体传感器领域,尤其涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用。本发明提供的气体传感器包括:导电纤芯;包覆在所述导电纤芯侧面的二氧化硅包层;缠绕固定于所述二氧化硅包层表面的两个气体检测电极;包覆在所述二氧化硅包层表面的金属氧化物半导体层,两个所述气体检测电极的自由端从所述金属氧化物半导体层穿出;和设置在所述导电纤芯两端的加热电极。本发明提供的气体传感器以导电纤芯作为热源,以二氧化硅作为绝缘基底,具有热源利用率高、体积小、制备工艺简单等优点,且该气体传感器还具有一定的柔韧性,使金属氧化物半导体气体传感器的柔性可穿戴应用成为可能。

基本信息
专利标题 :
一种金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法和应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114354724A
申请号 :
CN202210025951.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
仝召民舒宏伟牛峰
申请人 :
山西大学
申请人地址 :
山西省太原市小店区坞城路92号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
藏斌
优先权 :
CN202210025951.9
主分类号 :
G01N27/414
IPC分类号 :
G01N27/414  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/18
••••由于被试环境物质的热传导变化引起的电阻
G01N27/26
通过测试电化学变量;用电解或电泳法
G01N27/403
电池和电极组件
G01N27/414
对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管,即ISFETS或CHEMFETS
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 27/414
申请日 : 20220111
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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