半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法
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摘要
本发明公开了半导体图像传感器模块及其制备方法，以及相机及其制备方法。半导体图像传感器模块(1)至少包括：半导体图像传感器芯片(2)，具有在半导体衬底第一主表面上形成的晶体管形成区域，并具有形成在与第一主表面侧相对一侧上的含有光入射表面的光电转换区域；以及图像信号处理芯片(3)，在其中对在半导体图像传感器芯片中形成的图像信号进行处理；其中，多个凸点电极(15a)形成在第一主表面上，多个凸点电极(15b)形成在图像信号处理芯片(3)上，芯片(2，3)通过散热装置(4)而层叠形成，并且半导体图像传感器芯片(2)的多个凸点电极(15a)和在图像信号处理芯片(3)上的多个凸点电极(15b)是电连接的。
基本信息
专利标题 ：
半导体图像传感器模块及制备方法、相机及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1767600A
申请号 ：
CN200510118159.4
公开（公告）日 ：
2006-05-03
申请日 ：
2005-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉原郁夫山中昌充
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510118159.4
主分类号 ：
H04N5/335
IPC分类号 ：
H04N5/335 H01L27/14
法律状态
2008-07-02 ：
授权
2006-06-28 ：
实质审查的生效
2006-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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