近红外图像传感器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种近红外图像传感器及其制备方法。该近红外图像传感器包括衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域，其中，光电二极管区域包括在衬底上形成的沟槽、以及位于沟槽的内壁上的U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。该制备方法包括：提供衬底，衬底由第一材料制成，衬底包括各个光电二极管区域；在衬底的光电二极管区域形成沟槽；在沟槽的内壁外延生长U型第二材料层，第二材料的禁带宽度小于第一材料的禁带宽度。近红外图像传感器中沟槽侧壁的第二材料层不止提高了正入射的近红外光的吸收，还有利于斜入射时在侧壁积累的光子的吸收，既减小了串扰又提高了近红外波段的量子效率。
基本信息
专利标题 ：
近红外图像传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113035980A
申请号 ：
CN202110262139.3
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113035980B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
方欣欣黄晓橹
申请人 ：
联合微电子中心有限责任公司
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
代理机构 ：
北京北汇律师事务所
代理人 ：
郭群
优先权 ：
CN202110262139.3
主分类号 ：
H01L31/0312
IPC分类号 ：
H01L31/0312 H01L27/146
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0312
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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