背照式图像传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种背照式图像传感器及其制备方法。该方法包括：提供包括感光单元的半导体衬底；在所述半导体衬底的背面，形成深沟槽；通过外延生长，在所述深沟槽表面形成掺杂外延层；其中，在所述深沟槽的侧壁上形成侧向PN结。在所述深沟槽外延层上继续生长高K电介质材料以及填充材料来完成像素之间隔离，减少了像素之间光和电串扰。
基本信息
专利标题 ：
背照式图像传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388535A
申请号 ：
CN202011118732.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李继刚赵立新
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011118732.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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