背照式图像传感器
授权
摘要
本实用新型提供一种背照式图像传感器，背照式图像传感器包括：具有若干像素单元的像素阵列；所述像素单元之间具有深层P型掺杂区域，所述深层P型掺杂区域连接相邻像素单元的P型阱区域；表面P型掺杂区域，适于连通相邻像素单元的钉扎层结构从而减少像素单元间的连通电阻，实现像素阵列上下行的连通，进而得以取消阵列中部的衬底连接，免除像素阵列中接地接触的暗电流影响，经试验数据验证优化了成像质量，提高了图像传感器的整体性能。
基本信息
专利标题 ：
背照式图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922347287.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-24
授权号 ：
CN211376643U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
赵立新黄琨李杰付文
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201922347287.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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