背照式图像传感器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种背照式图像传感器及其制造方法，该背照式图像传感器及背照式图像传感器的制造方法中，在半导体衬底的外围区域设置或形成了隔离墙，利用隔离墙将光敏区域与外围区域的电路元件和参考像素隔开，隔离墙的隔离方式为物理隔离，可以将电路元件以及参考像素产生的漏电流有效隔离在光敏区域外，从而解决了背照式图像传感器的光敏区域边缘发光问题。
基本信息
专利标题 ：
背照式图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267691A
申请号 ：
CN202111555383.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹鹏胡胜
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
田婷
优先权 ：
CN202111555383.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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