本发明提供了一种背照式CMOS传感器中取晶粒的方法和应用，涉及CMOS传感器技术领域。该方法先将背照式CMOS传感器进行混酸处理，再将得到的预处理晶粒靠近电路层的一侧平整固定在硅片上，对预处理晶粒远离电路层的一侧进行任选的一次研磨以除去可能残留的封装料，然后进行反应离子刻蚀和二次研磨以使电路层完整的暴露出来并保持一定的平整度，得到晶粒；其中，将预处理晶粒平整固定在硅片上，硅片的设置可为电路层提供支撑作用，使得在后续提取过程中不会出现电路层脱落或者分层等问题，从而实现晶粒的完整且完好的提取，为后续失效分析工作提供了基础。本发明还提供了背照式CMOS传感器的失效分析方法。