背照式图像传感器及其制作方法

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摘要

本发明提供一种背照式图像传感器及其制作方法。所述背照式图像传感器中，像素与逻辑器件衬底正面设置有互连金属层，背面设置有高K材料钝化层，并且在背面一侧设置有位于像素阵列区和外围逻辑区之间的隔离沟槽，隔离沟槽隔断高K材料钝化层且深度未超过互连金属层。高K材料钝化层可以降低图像传感器的暗电流和白点缺陷，而隔离沟槽可以避免外围电路噪声对像素阵列区的影响，有助于提高所述背照式图像传感器的性能。本发明提供的背照式图像传感器的制作方法可用于制作上述背照式图像传感器。

基本信息

专利标题：

背照式图像传感器及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110797367A

申请号：

CN201911194938.0

公开（公告）日：

2020-02-14

申请日：

2019-11-28

授权号：

CN110797367B

授权日：

2022-04-29

发明人：

张磊姬峰王奇伟陈昊瑜

申请人：

上海华力微电子有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区良腾路6号

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曹廷廷

优先权：

CN201911194938.0

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146