背照式图像传感器芯片
授权
摘要
本实用新型提供一种图像传感器芯片，包括：具有正面和背面的半导体衬底；位于所述半导体衬底正面的金属互联结构；位于所述半导体衬底背面的台阶状通孔或台阶状沟槽，所述台阶状通孔或台阶状沟槽中填充有导电层以形成背面的走线。本实用新型降低了半导体衬底背面高度差，减小了后续工艺中对像素阵列边缘的彩色滤光片及微透镜形貌的影响，提高了工艺可靠性，降低了偏色风险，台阶状通孔或台阶状沟槽侧壁的介质层厚度可控，能够降低漏电风险，由于不用考虑走线、焊盘本身厚度对高度差的影响，可以通过增加走线、焊盘的厚度降低电阻，带来更好的器件电学性能。由于本实用新型的台阶状通孔或台阶状沟槽的形貌和宽度易于控制，不会造成过多的芯片面积浪费。
基本信息
专利标题 ：
背照式图像传感器芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021122867.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-17
授权号 ：
CN213519955U
授权日 ：
2021-06-22
发明人 ：
李杰赵立新付文许乐李玮
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021122867.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2021-06-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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