堆叠芯片图像传感器和固态堆叠芯片图像传感器

授权

摘要

本实用新型涉及堆叠芯片图像传感器和固态堆叠芯片图像传感器。本技术的各种实施方案可包括能够同时积聚电子和空穴的图像传感器。根据一个示例性实施方案，该图像传感器包括具有像素电路阵列的背照式混合键合堆叠芯片图像传感器，并且每个像素电路都包括在深沟槽隔离区中沿垂直方向取向的电荷存储电容器。该电子和空穴两者使用全局快门操作来积聚(收集)，并且该电荷存储电容器用于存储由该空穴生成的信号。

基本信息

专利标题：

堆叠芯片图像传感器和固态堆叠芯片图像传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921155081.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-07-23

授权号：

CN211208448U

授权日：

2020-08-07

发明人：

J·希内塞克

申请人：

半导体元件工业有限责任公司

申请人地址：

美国亚利桑那

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张丹

优先权：

CN201921155081.7

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146