一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素
授权
摘要
本实用新型公开了一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素，包括：用于感测光信号的光电二极管、用于暂时存储光电二极管中产生电荷的电荷存储单元、辅助电荷存储单元和浮置扩散区；所述电荷存储单元和浮置扩散区之间设置有用于控制电荷从电荷存储单元往浮置扩散区转移的第二传输晶体管，所述光电二极管和电荷存储单元之间设置有用于控制电荷从光电二极管往电荷存储单元转移的第三传输晶体管。本实用新型通过增加设计辅助电荷存储单元，使得该辅助电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量同电荷存储单元里面存储的电荷的数量的改变量相当，通过该方式，可有效提高传感器的全局快门效率。
基本信息
专利标题 ：
一种背照式电荷域相关双采样全局快门图像传感器像素
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920775273.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-24
授权号 ：
CN210469539U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
吴宪岭葛光
申请人 ：
上海砺芯微电子有限公司
申请人地址 ：
中国（上海）自由贸易试验区纳贤路800号1幢B座901-1室
代理机构 ：
湖北武汉永嘉专利代理有限公司
代理人 ：
李丹
优先权 ：
CN201920775273.1
主分类号 ：
H04N5/378
IPC分类号 ：
H04N5/378 H04N5/357
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
