全局曝光图像传感器
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型提供一种全局曝光图像传感器,所述图像传感器的采样保持单元包括并行连接设置的复位信号采样存储单元和图像信号采样存储单元,分别由一个或多个控制晶体管及电容构成。复位信号采样存储单元用于存储和控制读取像素电路的复位信号,图像信号采样存储单元用于存储和控制读取像素电路的图像信号。图像传感器的读出电路和控制电路对像素阵列输出的复位信号和图像信号读取控制和量化处理,根据不同的采样保持单元设计结构及读取方式,实现复位信号和图像信号的相关双采样,并通过计算获得输出图像的有效值。本实用新型所提供的内容与现有技术中全局曝光图像传感器的实现方案相比,能有效简化像素电路的时序操作,实现更小的CDS计算误差。

基本信息
专利标题 :
全局曝光图像传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921820113.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-10-28
授权号 :
CN210958544U
授权日 :
2020-07-07
发明人 :
任冠京徐辰莫要武侯金剑
申请人 :
思特威(上海)电子科技有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201921820113.0
主分类号 :
H04N5/374
IPC分类号 :
H04N5/374  H04N5/378  H04N5/351  
相关图片
法律状态
2021-04-23 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H04N 5/374
变更事项 : 专利权人
变更前 : 思特威(上海)电子科技有限公司
变更后 : 思特威(上海)电子科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
变更后 : 201203 上海市浦东新区自由贸易试验区祥科路111号3号楼6楼612室
2020-07-07 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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