背照式全局曝光像元结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种背照式全局曝光像元结构及其制备方法，该背照式全局曝光像元结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；接近半导体衬底的正表面，且设于半导体衬底内的感光单元、传输管和复位管；接近半导体衬底的正表面，且位于所述传输管和所述复位管之间的存储节点，其中，所述存储节点设于半导体衬底内，挡光层不完全包覆所述存储节点。该结构中的挡光层可以阻挡从半导体衬底背面入射的光线，极大的改善了背照式全局曝光像元结构的寄生光灵敏度性能。
基本信息
专利标题 ：
背照式全局曝光像元结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267692A
申请号 ：
CN202111563847.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李梦
申请人 ：
上海微阱电子科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区芳春路400号1幢3层
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111563847.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
