图像传感器形成方法及图像传感器
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种图像传感器形成方法及图像传感器，所述图像传感器形成方法包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底预定位置形成侧向PN结构；于所述侧向PN结构上表面，选择性生长P型外延层，以在所述侧向PN结构上表面形成钉扎层。本发明通过采用选择性外延工艺形成钉扎层，省去了离子注入工序，减少因离子注入工艺对光电二极管表面的破坏而产生的缺陷，节省了工艺步骤，并提高晶圆级图像传感器制备的光性能均匀性，减少噪点；通过将栅极结构部分覆盖钉扎层的设计，形成侧向寄生电场，增强开关特性。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器形成方法及图像传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388536A
申请号 ：
CN202011128879.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨瑞坤
申请人 ：
格科微电子（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区张江盛夏路560号2号楼11层
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202011128879.X
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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