图像传感器及其形成方法
实质审查的生效
摘要
一些实施例涉及一种图像传感器。该图像传感器包括半导体衬底，该半导体衬底包括像素区和外围区。背面隔离结构延伸至半导体衬底的背面中并横向包围像素区。该背面隔离结构包括金属芯，并且介电衬垫将金属芯与半导体衬底分离。导电部件设置在半导体衬底的正面上方。贯穿衬底通孔从半导体衬底的背面延伸穿过外围区以与导电部件接触。该贯穿衬底通孔与背面隔离结构横向偏移。导电桥设置在半导体衬底的背面下方并将背面隔离结构的金属芯电耦合至贯穿衬底通孔。本申请的实施例提供了图像传感器及其形成方法。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551487A
申请号 ：
CN202210094845.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高敏峰杨敦年刘人诚郭文昌陈昇照洪丰基李昇展
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210094845.6
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220126
申请日 : 20220126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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