图像传感器及其形成方法
授权
摘要
本发明的一些方面涉及一种图像传感器，包括具有前侧和背侧的半导体衬底。在位于前侧和后侧之间的半导体衬底中布置光电检测器。在半导体衬底的前侧下方布置互连结构，使得在互连结构和半导体衬底的背侧之间布置半导体衬底的前侧。下部环状结构延伸到半导体衬底的背侧中并横向地围绕光电检测器。通过下部环状结构围绕的光栅结构从衬底的背侧延伸至光电检测器内的位置。本发明的实施例还提供了一种图像传感器的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427835A
申请号 ：
CN201810996626.0
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2018-08-29
授权号 ：
CN109427835B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
郑允玮周俊豪李国政
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201810996626.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20180829
申请日 : 20180829
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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