图像传感器及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中包括第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域以及隔离所述第一像素区域、第二像素区域、第三像素区域的隔离结构；介质层，位于所述半导体衬底表面和所述隔离结构表面，其中，所述第一像素区域的介质层厚度、所述第二像素区域的介质层厚度、所述第三像素区域的介质层厚度都不相同；若干金属栅格，位于所述介质层表面，所述金属栅格的位置与所述隔离结构的位置对应；滤色层，位于所述介质层表面以及相邻所述金属栅格之间；微透镜，位于所述滤色层上。本申请所述的图像传感器及其形成方法可以提高图像传感器的成像质量。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388537A
申请号 ：
CN202011130962.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任惠
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区文昌大道18号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011130962.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20201021
申请日 : 20201021
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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