图像传感器及其形成方法
公开
摘要
一种图像传感器及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；对衬底进行图形化处理，形成若干呈阵列分布的柱状结构，沿第一方向排布的柱状结构之间具有第一深沟槽，沿第二方向排布的柱状结构之间具有第二深沟槽，沿第三方向排布的柱状结构之间具有交叉深沟槽，柱状结构与第一方向垂直的侧壁为(110)晶面，柱状结构与第三方向垂直的斜切面为(100)晶面；在第一深沟槽、第二深沟槽以及交叉深沟槽内形成掺杂外延层。通过柱状结构与第一方向垂直的侧壁为(110)晶面，柱状结构与第三方向垂直的斜切面为(100)晶面的设置，能够使得最终封口填满交叉深沟槽时的缺陷得到明显改善，进而有效减少白噪声的产生，以提升最终形成的图像传感器的性能。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582902A
申请号 ：
CN202210192656.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳龙房子荃范晓王函陈广龙钱文生
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张瑞
优先权 ：
CN202210192656.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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