图像传感器及其制造方法

授权

摘要

本发明实施例提供了一种图像传感器，包括衬底、沟槽隔离件、多个图像感测单元、至少一个相位检测单元，以及互连层。沟槽隔离件在衬底中，以及衬底的多个有源区通过沟槽隔离件彼此分隔。图像感测单元和至少一个相位检测单元在布置为阵列的有源区中，以及至少一个相位检测单元的感测面积比图像感测单元的每个的感测面积小。互连层设置在图像感测单元和至少一个相位检测单元上。此外，还提提供了图像传感器的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器及其制造方法。

基本信息

专利标题：

图像传感器及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107026182A

申请号：

CN201611217129.3

公开（公告）日：

2017-08-08

申请日：

2016-12-26

授权号：

CN107026182B

授权日：

2022-05-03

发明人：

魏嘉余萧晋勋邱柏钧郑宇轩许永隆陈信吉郑静玲

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201611217129.3

主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

H01L27/146