CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，通过形成根据透过滤色器层接收到的入射光的波长而改变深度的光电二极管来提高色平衡。预定的深度随着入射光波段的波长的增加而由浅到深，以使对于例如蓝光的入射光的波段的最短波长，预定的深度最浅，而对于例如红光的入射光的波段的最长波长，预定深度最深。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815716A
申请号 ：
CN200510132656.X
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高宽柱
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510132656.X
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L27/146
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598340672
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL200510132656X
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20080820
终止日期 : 20131220
号牌文件序号 : 101598340672
IPC(主分类) : H01L 21/8234
专利号 : ZL200510132656X
申请日 : 20051220
授权公告日 : 20080820
终止日期 : 20131220
2008-08-20 ：
授权
2006-10-04 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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