CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
公开了CMOS图像传感器及其制造方法，其中杂质离子区形成在半导体基片中以形成光电荷的转移路径，从而同时改善死区特性和暗电流特性。CMOS图像传感器包括：第一传导型半导体基片，由有源区和装置隔离区限定；装置隔离膜，形成在对应于所述装置隔离区的所述第一传导型半导体基片中；栅电极，形成在对应于所述有源区的晶体管区的所述第一传导型半导体基片上；第二传导型第一杂质离子区及第一传导型第一杂质离子区，以沉积结构形成于所述栅电极下所述半导体基片中；第二传导型第二杂质离子区，形成于光电二极管区的所述半导体基片中；以及第一传导型第二杂质离子区，形成于第二传导型第二杂质离子区的表面上。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819250A
申请号 ：
CN200510137613.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈喜成金泰雨
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510137613.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2014-02-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101572122338
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101376130
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20121226
号牌文件序号 : 101572122338
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101376130
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20121226
2009-07-08 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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