CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，光响应特性得到增强并且微透镜可通过将微透镜嵌入钝化层图案中而在封装中得到保护。本发明包括：半导体基板；光电二极管，在半导体基板中形成；金属线，在半导体基板之上，用于光电二极管的电连接；绝缘层，在半导体基板之上，用于金属线的绝缘；钝化层图案，在绝缘层上；以及微透镜，在绝缘层上形成以嵌入在钝化层图案中。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819247A
申请号 ：
CN200510137610.7
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相基
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510137610.7
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599309563
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101376107
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20131226
号牌文件序号 : 101599309563
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101376107
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20131226
2008-11-26 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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