图像传感器元件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种图像传感器元件的制造方法，首先于衬底中形成光电二极管以及晶体管，并于此光电二极管的感光区上形成一层自对准金属硅化物阻挡层。然后，进行多次金属内连线工艺，以于衬底上形成数个介电层及介电层中的金属内连线，并进行光刻蚀刻工艺，以移除部分这些介电层，而暴露出感光区上方的自对准金属硅化物阻挡层。因为感光区上方的介电层被移除，使此图像传感器元件对光的灵敏度提高。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979806A
申请号 ：
CN200510129706.9
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
庄正行龙赞伦郑志鸿孙伟宸
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510129706.9
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L27/146
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101180109657
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利号 : ZL2005101297069
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20101201
号牌文件序号 : 101180109657
IPC(主分类) : H01L 21/822
专利号 : ZL2005101297069
申请日 : 20051201
授权公告日 : 20081231
终止日期 : 20101201
2008-12-31 ：
授权
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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