CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中双微透镜使用具有不同折射率的材料而形成以提高光的聚集效率，由此改进图像传感器的特性。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815747A
申请号 ：
CN200510135087.4
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金德洙
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510135087.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599304981
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101350874
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101599304981
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101350874
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090401
终止日期 : 20131223
2009-04-01 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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