图像传感器及其制造方法
公开
摘要
图像传感器，包括基底；设置在基底内部的光电转换区域；设置在基底内部以包括地区域、浮置扩散区域和用于连接地区域和浮置扩散区域的沟道区域的第一有源区域；设置在沟道区域内部的基底沟槽；设置在基底的表面上以包括填充基底沟槽的一部分并具有第一宽度的下栅极和在下栅极上的具有小于第一宽度的第二宽度的上栅极的传输栅极；以及设置在基底沟槽内部以介于地区域和上栅极之间的栅极间隔物。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551485A
申请号 ：
CN202111305868.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任东模金慈明朴钟银李范硕曹官植
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
邵亚丽
优先权 ：
CN202111305868.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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