CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
CMOS图像传感器内包括图像转移晶体管。该图像转移晶体管包括：半导体沟道区，是第一导电型的；以及导电栅，位于该半导体沟道区上。还设置了栅绝缘区。该栅绝缘区在该半导体沟道区与该导电栅之间延伸。该栅绝缘区包括：氮化绝缘层，延伸到与导电栅的界面；以及基本无氮绝缘层，延伸到与半导体沟道区的界面。该氮化绝缘层可以是氮氧化硅(SiON)层。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1858914A
申请号 ：
CN200510125139.X
公开（公告）日 ：
2006-11-08
申请日 ：
2005-11-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘永燮吴正焕邢庸宇林宪亨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510125139.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/146 H01L21/336 H01L21/283
法律状态
2010-03-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-07-02 ：
实质审查的生效
2006-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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