CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其形成沟槽形状的转移栅，用于更好地传输由入射到光电二极管的光产生的电子，以获得改善的传输特性。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，具有由浅沟槽隔离区限定的至少一个有源区；光接收区，形成在半导体衬底的表面；以及转移栅，掩埋在光接收区与至少一个有源区之间的半导体衬底中，转移栅具有预定深度的构槽形状。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1794461A
申请号 ：
CN200510132828.3
公开（公告）日 ：
2006-06-28
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任劤爀
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510132828.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2011-01-26 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101063320303
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005101328283
公开日 : 20060628
号牌文件序号 : 101063320303
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005101328283
公开日 : 20060628
2006-08-23 ：
实质审查的生效
2006-06-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
