CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过消除平坦化层的厚度来改善图像特性。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；多个有源器件，其设置于半导体衬底的预定表面中，用于根据入射光量产生电荷；绝缘中间层，其形成于包括多个有源器件的半导体衬底的整个表面上；滤色器层，其形成于绝缘中间层上，滤色器层包括用于根据波长来分别过滤光的红色、绿色、和蓝色滤色器图样，滤色器图样布置为与多个有源器件相对应；以及多个微透镜，其形成于滤色器层上，其中，将滤色器层平坦化，以使滤色器层的各滤色器图样均具有相同的高度，以容纳多个微透镜。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819220A
申请号 ：
CN200510023079.0
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金昇炫
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510023079.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2011-01-19 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101062886483
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005100230790
公开日 : 20060816
号牌文件序号 : 101062886483
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005100230790
公开日 : 20060816
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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