CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种CMOS图像传感器包括:包括蚀刻停止层的钝化层,该钝化层具有形成至由该蚀刻停止层确定的深度的滤色器阵列图案,该滤色器阵列图案包括分开限定的滤色器区;以及滤色器阵列,其包括依据颜色分别滤光的多个滤色器,依据滤色器阵列图案形成该滤色器,每个滤色器由仅填充对应滤色器区的材料形成。
基本信息
专利标题 :
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1819240A
申请号 :
CN200510137498.7
公开(公告)日 :
2006-08-16
申请日 :
2005-12-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑善旭
申请人 :
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 :
韩国首尔
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
徐谦
优先权 :
CN200510137498.7
主分类号 :
H01L27/146
IPC分类号 :
H01L27/146 H01L21/82
法律状态
2010-03-24 :
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 :
实质审查的生效
2006-08-16 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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