CMOS图像传感器及其制造方法
专利权的终止
摘要
公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其中，在外延层的表面中形成沟槽，在所述沟槽中形成传送晶体管以同时减少死区和暗电流。CMOS图像传感器包括由光电二极管区以及晶体管区限定的第一导电型半导体基板，在半导体基板中形成的与所述晶体管区的传送晶体管对应的沟槽，所述传送晶体管的栅电极，形成在所述沟槽中，在光电二极管区的半导体基板中形成的第二导电型杂质离子区，以及在第二导电型杂质离子区的表面上形成的第一导电型杂质离子区。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819237A
申请号 ：
CN200510135156.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈喜成金泰雨
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510135156.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599307419
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101351561
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20131227
号牌文件序号 : 101599307419
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利号 : ZL2005101351561
申请日 : 20051227
授权公告日 : 20081126
终止日期 : 20131227
2008-11-26 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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