图像传感器及其制造方法
授权
摘要
提供了一种图像传感器结构及其形成方法。图像传感器结构包括具有前侧和背侧的衬底以及形成在衬底中的感光区域。图像传感器结构还包括形成在衬底的前侧处的前侧隔离结构和形成在衬底的背侧处的背侧隔离结构。
基本信息
专利标题 ：
图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107039471A
申请号 ：
CN201610911713.2
公开（公告）日 ：
2017-08-11
申请日 ：
2016-10-20
授权号 ：
CN107039471B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
山下雄一郎庄君豪角博文
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201610911713.2
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-02-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20161020
申请日 : 20161020
2017-08-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
