CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种CMOS图像传感器及其制造方法，提供具有矩形形状的微透镜图案轮廓以促进微透镜的回流工艺并且改善其曲率，从而改善光的集中效率并改善图像传感器的特性。所述CMOS图像传感器包括：多个光电二极管，设置在半导体基板上；多个滤色器，对应于所述光电二极管而设置；平坦化层，形成在包括所述滤色器的半导体基板的整个表面上；第一微透镜，具有矩形形状，形成在所述平坦化层上以对应于所述光电二极管；以及第二微透镜，被形成以围绕所述第一微透镜。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819248A
申请号 ：
CN200510137611.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白承源
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐谦
优先权 ：
CN200510137611.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2009-08-12 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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