CMOS图像传感器及其制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，其可以防止在器件隔离膜和光电二极管区之间产生的暗电流，以提高图像传感器的特性。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819225A
申请号 ：
CN200510097488.5
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩昌勋
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510097488.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/822
法律状态
2012-03-14 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101298328942
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005100974885
公开日 : 20060816
号牌文件序号 : 101298328942
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005100974885
公开日 : 20060816
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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